An E-mode $\beta$-Ga2O3 metal-heterojunction composite field effect transistor with a record high P-FOM of 0.73 GW/cm2

Wang, Xichen ; Lu, Xiaoli ; et al.

In: 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD); (2023-05-28) S. 390-393

Konferenz

Titel:	An E-mode $\beta$-Ga2O3 metal-heterojunction composite field effect transistor with a record high P-FOM of 0.73 GW/cm2
Autor/in / Beteiligte Person:	Wang, Xichen ; Lu, Xiaoli ; He, Yunlong ; Liu, Peng ; Shao, Yv ; Li, Jianing ; Yang, Yitong ; Li, Yuan ; Hao, Yue ; Ma, Xiaohua
Quelle:	35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD); (2023-05-28) S. 390-393
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	979-8-3503-9682-9 (print)
ISSN:	1946-0201 (print)
DOI:	10.1109/ISPSD57135.2023.10147570
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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