A SEB Hardened Trench Gate DMOS with HfO2 Gate Dielectric and Decelerating Electric Field Layer in Parasitic NPN Base

Fang, Jian ; Lei, Yibo ; et al.

In: 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD); (2023-05-28) S. 167-170

Konferenz

Titel:	A SEB Hardened Trench Gate DMOS with HfO2 Gate Dielectric and Decelerating Electric Field Layer in Parasitic NPN Base
Autor/in / Beteiligte Person:	Fang, Jian ; Lei, Yibo ; Fang, Zhou ; Shi, Lijuan ; Tang, Lingli ; Yang, Xihe ; Yan, Ling ; Zhang, Bo
Quelle:	35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD); (2023-05-28) S. 167-170
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	979-8-3503-9682-9 (print)
ISSN:	1946-0201 (print)
DOI:	10.1109/ISPSD57135.2023.10147721
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.