Superior retention (>1 year, 85 °C) and memory window (~1.8 V) using ultra-thin HZO FTJ with OTS selector for X-point memory applications

Jung, Laeyong ; Lee, Jangseop ; et al.

In: International Electron Devices Meeting (IEDM); (2023-12-09) S. 1-4

Konferenz

Titel:	Superior retention (>1 year, 85 °C) and memory window (~1.8 V) using ultra-thin HZO FTJ with OTS selector for X-point memory applications
Autor/in / Beteiligte Person:	Jung, Laeyong ; Lee, Jangseop ; Oh, Seungyeol ; Hwang, Hyunsang
Quelle:	International Electron Devices Meeting (IEDM); (2023-12-09) S. 1-4
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	979-8-3503-2767-0 (print)
ISSN:	2156-017X (print)
DOI:	10.1109/IEDM45741.2023.10413664
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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