The First CMOS-Integrated Voltage-Controlled MRAM with 0.7ns Switching Time

Suhail, H. ; He, H. ; et al.

In: International Electron Devices Meeting (IEDM); (2023-12-09) S. 1-4

Konferenz

Titel:	The First CMOS-Integrated Voltage-Controlled MRAM with 0.7ns Switching Time
Autor/in / Beteiligte Person:	Suhail, H. ; He, H. ; Yang, J. ; Shu, Q. ; Wang, C. Y. ; Yang, S. Y. ; Hsin, Y. C. ; Shih, C. Y. ; Lee, H. H. ; Wu, D. ; Lee, A. ; Wei, J. H. ; Gupta, P. ; Wang, K. L. ; Pamarti, S.
Quelle:	International Electron Devices Meeting (IEDM); (2023-12-09) S. 1-4
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	979-8-3503-2767-0 (print)
ISSN:	2156-017X (print)
DOI:	10.1109/IEDM45741.2023.10413670
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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