DrGaN: an Integrated CMOS Driver-GaN Power Switch Technology on 300mm GaN-on-Si with E-mode GaN MOSHEMT and 3D Monolithic Si PMOS
In: International Electron Devices Meeting (IEDM); (2023-12-09) S. 1-4
Konferenz
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DrGaN: an Integrated CMOS Driver-GaN Power Switch Technology on 300mm GaN-on-Si with E-mode GaN MOSHEMT and 3D Monolithic Si PMOS
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Autor/in / Beteiligte Person: | Then, Han Wui ; Radosavljevic, M. ; Bader, S. ; Zubair, A. ; Vora, H. ; Nair, N. ; Koirala, P. ; Beumer, M. ; Nordeen, P. ; Vyatskikh, A. ; Hoff, T. ; Peck, J. ; Nahm, R. ; Michaelos, T. ; Khora, E. ; Jordan, R. ; Hoffman, C. ; Franco, N. ; Oni, A. ; Beach, S. ; Garg, D. ; Frolov, D. ; Latorre-Rey, A. ; Mitaenko, A. ; Rangaswamy, J. ; Sarkar, S. ; Ahmed, S. ; Rayappa, V. ; Chiu, H. ; Hubert, A. ; Brophy, S. ; Arefm, N. ; Desai, N. ; Krishnamurthy, H. ; Yu, J. ; Ravichandran, K. ; Fischer, P. |
Quelle: | International Electron Devices Meeting (IEDM); (2023-12-09) S. 1-4 |
Veröffentlichung: | 2023 |
Medientyp: | Konferenz |
ISBN: | 979-8-3503-2767-0 (print) |
ISSN: | 2156-017X (print) |
DOI: | 10.1109/IEDM45741.2023.10413680 |
Sonstiges: |
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