First BEOL-compatible, 10 ns-fast, and Durable 55 nm Top-pSOT-MRAM with High TMR (>130%)

Li, Kai-Shin ; Shieh, Jia-Min ; et al.

In: International Electron Devices Meeting (IEDM); (2023-12-09) S. 1-4

Konferenz

Titel:	First BEOL-compatible, 10 ns-fast, and Durable 55 nm Top-pSOT-MRAM with High TMR (>130%)
Autor/in / Beteiligte Person:	Li, Kai-Shin ; Shieh, Jia-Min ; Chen, Yi-Ju ; Hsu, Cho-Lun ; Shen, Chang-Hong ; Hou, Tuo-Hung ; Lin, Chia-Ping ; Lai, Chih-Huang ; Tang, Denny D. ; Yuan-Chen Sun, Jack
Quelle:	International Electron Devices Meeting (IEDM); (2023-12-09) S. 1-4
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	979-8-3503-2767-0 (print)
ISSN:	2156-017X (print)
DOI:	10.1109/IEDM45741.2023.10413685
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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