A 2.2μm 2-Layer Stacked HDR Voltage Domain Global Shutter CMOS Image Sensor with Dual Conversion Gain and 1.2e- FPN

Gao, Zhe ; Park, Geunsook ; et al.

In: International Electron Devices Meeting (IEDM); (2023-12-09) S. 1-4

Konferenz

Titel:	A 2.2μm 2-Layer Stacked HDR Voltage Domain Global Shutter CMOS Image Sensor with Dual Conversion Gain and 1.2e- FPN
Autor/in / Beteiligte Person:	Gao, Zhe ; Park, Geunsook ; Fu, Linda ; Chapinal, Genis ; Yang, Joseph ; Freson, Tom ; Qin, Qing ; Guo, Jiayu ; Zhu, Fan ; Ding, Shaomin ; Lin, Zhiqiang ; Hsiung, Alan Chih-Wei ; Mabuchi, Keiji ; Geurts, Tomas ; Grant, Lindsay A. ; Dai, T.J.
Quelle:	International Electron Devices Meeting (IEDM); (2023-12-09) S. 1-4
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	979-8-3503-2767-0 (print)
ISSN:	2156-017X (print)
DOI:	10.1109/IEDM45741.2023.10413865
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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