A 4.13-GHz UHS Pseudo Two-Port SRAM With BL Charge Time Reduction and Flying Word-Line for HPC Applications in 4-nm FinFET Technology

Kim, J. ; Yook, B. ; et al.

In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-04-01), Heft 4, S. 1216-1224

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Titel:	A 4.13-GHz UHS Pseudo Two-Port SRAM With BL Charge Time Reduction and Flying Word-Line for HPC Applications in 4-nm FinFET Technology
Autor/in / Beteiligte Person:	Kim, J. ; Yook, B. ; Lee, Y. ; Choi, T. ; Choi, K. ; Lee, C. ; Lee, J. ; Kim, H. ; Yun, S. ; Do, C. ; Kwak, M. ; Kim, M. ; Li, Y. ; Tang, H. ; Lee, I. ; Seo, D. ; Baeck, S.
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-04-01), Heft 4, S. 1216-1224
Veröffentlichung:	2024
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9200 (print) ; 1558-173X (print)
DOI:	10.1109/JSSC.2024.3355948
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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