Dependence of the Spill Back Effect on the Energy Level Distribution of Interface States Under the Transfer Gate in CMOS Image Sensor

Zhao, P. ; Liu, C. ; et al.

In: IEEE Sensors Journal, Jg. 24 (2024-05-15), Heft 10, S. 16250-16260

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Titel:	Dependence of the Spill Back Effect on the Energy Level Distribution of Interface States Under the Transfer Gate in CMOS Image Sensor
Autor/in / Beteiligte Person:	Zhao, P. ; Liu, C. ; Zhang, Y. ; Lu, X. ; Li, B. ; Xu, J.
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Sensors Journal, Jg. 24 (2024-05-15), Heft 10, S. 16250-16260
Veröffentlichung:	2024
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1530-437X (print) ; 1558-1748 (print) ; 2379-9153 (print)
DOI:	10.1109/JSEN.2024.3382088
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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