Analysis on the dependence of layout parameters on ESD robustness of CMOS devices for manufacturing in deep-submicron CMOS process

Chen, Tung-Yang ; Ker, Ming-Dou

In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 16 (2003-08-01), Heft 3, S. 486-500

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Titel:	Analysis on the dependence of layout parameters on ESD robustness of CMOS devices for manufacturing in deep-submicron CMOS process
Autor/in / Beteiligte Person:	Chen, Tung-Yang ; Ker, Ming-Dou
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Zeitschrift:	IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 16 (2003-08-01), Heft 3, S. 486-500
Veröffentlichung:	2003
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0894-6507 (print) ; 1558-2345 (print)
DOI:	10.1109/TSM.2003.815200
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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