A combined UHV-CVD and rapid thermal diffusion process for SiGe Esaki diodes by ultra shallow junction formation

Wernersson, L. E. ; Kabeer, S. ; et al.

In: International Semiconductor Device Research Symposium; (2003) S. 164-165

Konferenz

Titel:	A combined UHV-CVD and rapid thermal diffusion process for SiGe Esaki diodes by ultra shallow junction formation
Autor/in / Beteiligte Person:	Wernersson, L. E. ; Kabeer, S. ; Zela, V. ; Lind, E. ; Zhao, J. ; Yan, Y. ; Seifert, W. ; Seabaugh, A.
Quelle:	International Semiconductor Device Research Symposium; (2003) S. 164-165
Veröffentlichung:	2003
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	0-7803-8139-4 (print) ; 978-0-7803-8139-1 (print)
DOI:	10.1109/ISDRS.2003.1272043
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library Relation: 2003 International Semiconductor Device Research Symposium

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