SCR device fabricated with dummy-gate structure to improve turn-on speed for effective ESD protection in CMOS technology

Ker, Ming-Dou ; Hsu, Kuo-Chun

In: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 18 (2005-05-01), Heft 2, S. 320-327

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Titel:	SCR device fabricated with dummy-gate structure to improve turn-on speed for effective ESD protection in CMOS technology
Autor/in / Beteiligte Person:	Ker, Ming-Dou ; Hsu, Kuo-Chun
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Zeitschrift:	IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Jg. 18 (2005-05-01), Heft 2, S. 320-327
Veröffentlichung:	2005
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0894-6507 (print) ; 1558-2345 (print)
DOI:	10.1109/TSM.2005.845112
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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