Investigation of effects of nanowires numbers in N-channel and P-channel nanowire transistors on nanowire-CMOS characteristics

Hashim, Yasir ; Sidekman

In: IEEE Regional Symposium on Micro and Nanoelectronics (RSM); (2011-09-01) S. 45-47

Konferenz

Titel:	Investigation of effects of nanowires numbers in N-channel and P-channel nanowire transistors on nanowire-CMOS characteristics
Autor/in / Beteiligte Person:	Hashim, Yasir ; Sidekman
Quelle:	IEEE Regional Symposium on Micro and Nanoelectronics (RSM); (2011-09-01) S. 45-47
Veröffentlichung:	2011
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-61284-844-0 (print) ; 978-1-61284-845-7 (print) ; 978-1-61284-846-4 (print)
DOI:	10.1109/RSM.2011.6088288
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library Relation: 2011 IEEE Regional Symposium on Micro and Nanoelectronics (RSM)

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