Hot-Carrier-Damage-Induced Current Gain Enhancement (CGE) Effects in SiGe HBTs

Raghunathan, U.S. ; Martinez, R.P. ; et al.

In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-06-01), Heft 6, S. 2430-2438

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Titel:	Hot-Carrier-Damage-Induced Current Gain Enhancement (CGE) Effects in SiGe HBTs
Autor/in / Beteiligte Person:	Raghunathan, U.S. ; Martinez, R.P. ; Wier, B.R. ; Omprakash, A.P. ; Ying, H. ; Bantu, T.G. ; Yasuda, H. ; Menz, P. ; Cressler, J.D.
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-06-01), Heft 6, S. 2430-2438
Veröffentlichung:	2018
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9383 (print) ; 1557-9646 (print)
DOI:	10.1109/TED.2018.2829184
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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