All CVD Boron Nitride Encapsulated Graphene FETs With CMOS Compatible Metal Edge Contacts
In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4129-4134
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All CVD Boron Nitride Encapsulated Graphene FETs With CMOS Compatible Metal Edge Contacts
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Autor/in / Beteiligte Person: | Pandey, H. ; Shaygan, M. ; Sawallich, S. ; Kataria, S. ; Wang, Z. ; Noculak, A. ; Otto, M. ; Nagel, M. ; Negra, R. ; Neumaier, D. ; Lemme, M.C. |
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Zeitschrift: | IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-10-01), Heft 10, S. 4129-4134 |
Veröffentlichung: | 2018 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0018-9383 (print) ; 1557-9646 (print) |
DOI: | 10.1109/TED.2018.2865382 |
Sonstiges: |
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