Short-Circuit Ruggedness Analysis of SiC JMOS and DMOS

Hsu, Fu-Jen ; Yen, Cheng-Tyng ; et al.

In: 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD); (2019-05-01) S. 255-258

Konferenz

Titel:	Short-Circuit Ruggedness Analysis of SiC JMOS and DMOS
Autor/in / Beteiligte Person:	Hsu, Fu-Jen ; Yen, Cheng-Tyng ; Hung, Chien-Chung ; Chu, Kuo-Ting ; Lee, Lurng-Shehng ; Lee, Chwan-Ying
Quelle:	31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD); (2019-05-01) S. 255-258
Veröffentlichung:	2019
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-1-7281-0580-2 (print) ; 978-1-7281-0581-9 (print) ; 978-1-7281-0579-6 (print)
ISSN:	1946-0201 (print)
DOI:	10.1109/ISPSD.2019.8757630
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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