Four-terminal poly-Si thin-film transistors with high-k gate dielectric on glass substrate and its application in CMOS inverters

Nomura, Kaisei ; Nagayosi, Akihisa ; et al.

In: 29th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD); (2022-07-05) S. 142-143

Konferenz

Titel:	Four-terminal poly-Si thin-film transistors with high-k gate dielectric on glass substrate and its application in CMOS inverters
Autor/in / Beteiligte Person:	Nomura, Kaisei ; Nagayosi, Akihisa ; Hara, Akito
Quelle:	29th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD); (2022-07-05) S. 142-143
Veröffentlichung:	2022
Medientyp:	Konferenz
ISBN:	978-4-9912169-3-0 (print)
DOI:	10.23919/AM-FPD54920.2022.9851318
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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