Optimization of Photodiode Design Through Analysis of Full-Well Capacity and Image Lag in 0.5 μm CMOS Image Sensors With Vertical Transfer Gates

Park, J.H. ; Suk, C.H. ; et al.

In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1697-1700

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Titel:	Optimization of Photodiode Design Through Analysis of Full-Well Capacity and Image Lag in 0.5 μm CMOS Image Sensors With Vertical Transfer Gates
Autor/in / Beteiligte Person:	Park, J.H. ; Suk, C.H. ; Kim, S. ; Kim, J.H. ; Kwon, U. ; Kim, D.S. ; Yoo, K. ; Kim, T.W.
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1697-1700
Veröffentlichung:	2022
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0741-3106 (print) ; 1558-0563 (print)
DOI:	10.1109/LED.2022.3201138
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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