Energy-Efficient High Bandwidth 6T SRAM Design on Intel 4 CMOS Technology

Kim, Y. ; Ong, C. ; et al.

In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-04-01), Heft 4, S. 1087-1093

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Titel:	Energy-Efficient High Bandwidth 6T SRAM Design on Intel 4 CMOS Technology
Autor/in / Beteiligte Person:	Kim, Y. ; Ong, C. ; Pillai, A.M. ; Jagadeesh, H. ; Baek, G. ; Rajwani, I. ; Guo, Z. ; Karl, E.
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 58 (2023-04-01), Heft 4, S. 1087-1093
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9200 (print) ; 1558-173X (print)
DOI:	10.1109/JSSC.2022.3230046
Sonstiges:	Nachgewiesen in: IEEE Xplore Digital Library

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