Amorphous inclusions during Ge and GeSn epitaxial growth via chemical vapor deposition

Gencarelli, F. ; Shimura, Y. ; et al.

In: Thin Solid Films, Jg. 590 (2015-09-01), S. 163-169

academicJournal

Titel:	Amorphous inclusions during Ge and GeSn epitaxial growth via chemical vapor deposition
Autor/in / Beteiligte Person:	Gencarelli, F. ; Shimura, Y. ; Kumar, A. ; Vincent, B. ; Moussa, A. ; Vanhaeren, D. ; Richard, O. ; Bender, H. ; Vandervorst, W. ; Caymax, M. ; Loo, R. ; Heyns, M.
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen?
Zeitschrift:	Thin Solid Films, Jg. 590 (2015-09-01), S. 163-169
Veröffentlichung:	2015
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0040-6090 (electronic)
DOI:	10.1016/j.tsf.2015.07.076
Sonstiges:	Nachgewiesen in: ScienceDirect Sprachen: English

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