CMOS-compatible GaN-based high electron mobility transistors with gate-first technology

Gao, Sheng ; Xie, Zijing ; et al.

In: Microelectronic Engineering, Jg. 264 (2022-08-15)

academicJournal

Titel:	CMOS-compatible GaN-based high electron mobility transistors with gate-first technology
Autor/in / Beteiligte Person:	Gao, Sheng ; Xie, Zijing ; Xiong, Nianhe ; Liu, Xiaoyi ; Wang, Hong
Link:	E-Journal im Bestand der UB Hagen?
Zeitschrift:	Microelectronic Engineering, Jg. 264 (2022-08-15)
Veröffentlichung:	2022
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0167-9317 (electronic)
DOI:	10.1016/j.mee.2022.111860
Sonstiges:	Nachgewiesen in: ScienceDirect Sprachen: English

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