High‐Q RF inductors on 20 Ω.cm silicon realized through wafer‐level packaging techniques

Carchon, G.J. ; De Raedt, W. ; et al.

In: Microelectronics International: An International Journal, Jg. 20 (2003-04-01), Heft 1, S. 26-30

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Titel:	High‐Q RF inductors on 20 Ω.cm silicon realized through wafer‐level packaging techniques
Autor/in / Beteiligte Person:	Carchon, G.J. ; De Raedt, W. ; Beyne, E.
Link:	Full Text Finder (Volltext) http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/13565360310455490
Zeitschrift:	Microelectronics International: An International Journal, Jg. 20 (2003-04-01), Heft 1, S. 26-30
Veröffentlichung:	2003
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1356-5362 (print)
DOI:	10.1108/13565360310455490
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Emerald Insight Sprachen: English

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