Photoconductivity sampling of low-temperature-grown Be-doped GaAs layers

Eusebe, H. ; Roux, J. F. ; et al.

In: Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-08-01), Heft 3, S. 033711

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The dynamical electrical properties of annealed low-temperature-grown GaAs layers moderately doped with beryllium are studied using photoconductive sampling. The ultrafast optoelectrical properties of Be-doped LTG-GaAs epitaxial layers are characterized using a photoconductivity sampling technique.

Titel:	Photoconductivity sampling of low-temperature-grown Be-doped GaAs layers
Autor/in / Beteiligte Person:	Eusebe, H. ; Roux, J. F. ; Coutaz, J. L. ; Krotkus, A.
Link:	Full Text Finder (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen?
Zeitschrift:	Journal of Applied Physics, Jg. 98 (2005-08-01), Heft 3, S. 033711
Veröffentlichung:	2005
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0021-8979 (print)
Schlagwort:	Photoconductivity -- Research Gallium arsenide -- Electric properties Gallium arsenide -- Optical properties Beryllium -- Electric properties Beryllium -- Optical properties Dielectric films -- Electric properties Dielectric films -- Optical properties Thin films -- Electric properties Thin films -- Optical properties
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Gale General OneFile Sprachen: English

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