Surface characteristics of etched and non-etched silicon germanium (SiGe)/Si graded structure with varying Ge concentration grown by ultra-high vacuum (UHV)/chemical vapor deposition (CVD) for optoelectronic and power conversion applications

Fred Semendy [and three others].

In: Surface characteristics of etched and non-etched silicon germanium (SiGe)/Si graded structure with varying Ge concentration grown by ultra-high vacuum (UHV)/chemical vapor deposition (CVD) for optoelectronic and power conversion applications / Fred Semendy [and three others].; (2012)

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Titel:	Surface characteristics of etched and non-etched silicon germanium (SiGe)/Si graded structure with varying Ge concentration grown by ultra-high vacuum (UHV)/chemical vapor deposition (CVD) for optoelectronic and power conversion applications
Verantwortlichkeitsangabe:	Fred Semendy [and three others].
Autor/in / Beteiligte Person:	Semendy, Fred
Link:	View Record from the Government Printing Office (GPO) (Volltext) Volltext
Quelle:	Surface characteristics of etched and non-etched silicon germanium (SiGe)/Si graded structure with varying Ge concentration grown by ultra-high vacuum (UHV)/chemical vapor deposition (CVD) for optoelectronic and power conversion applications / Fred Semendy [and three others].; (2012)
Reihe:	ARL-TR (Aberdeen Proving Ground, Md.); 6128 ARL-TR; 6128
Veröffentlichung:	2012
Medientyp:	Buch
Umfang:	1 online resource (vi, 16 pages) : color illustrations.
Schlagwort:	Surfaces (Technology) -- Analysis. Chemical vapor deposition. Optoelectronic devices.
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Government Publishing Office Catalog Sprachen: English Language: English Publication Date: 2012 Document Type: Monograph Notes: Title from title screen (viewed on Jan. 17, 2013). ; "September 2012." ; Includes bibliographical references (pages 11-12). ; Final. Other Authors: U.S. Army Research Laboratory, issuing body.

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