對CMOS閘極氧化層線寬為130nm、90nm、65nm時的模擬與分析

陳宜澤(Chen, I-tse) ; 謝宗原(Xie, Zong-yuan) ; et al.

In: 華岡工程學報 / Chinese Culture University Hwa Kang Journal of Engineering, Jg. 20 (2006-06-01), S. 61-68

academicJournal

Titel:	對CMOS閘極氧化層線寬為130nm、90nm、65nm時的模擬與分析
Autor/in / Beteiligte Person:	陳宜澤(Chen, I-tse) ; 謝宗原(Xie, Zong-yuan) ; 馮舉威(Feng, Chu-wei) ; 邱顯嘉(Qiu, Xian-jia) ; 胡峻諺(Hu, Jim) ; 譚湘瑜(Tan, S. Y.)
Link:	http://www.hyread.com.tw/hypage.cgi?HYPAGE=search/search_detail_new.hpg&dtd_id=3&sysid=00118397
Zeitschrift:	華岡工程學報 / Chinese Culture University Hwa Kang Journal of Engineering, Jg. 20 (2006-06-01), S. 61-68
Veröffentlichung:	2006
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	2077-009X (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: HyRead Journal Sprachen: Chinese, English, Japanese Alternate Title: The Simulation and Analysis of CMOS Gate Dielectrics for 130nm 、90nm、65nm Technology Other Title: 原題名 : 華岡工科學報

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