ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化
In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 117 (2017-12-01), Heft 345, S. 79-84
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ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化
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Autor/in / Beteiligte Person: | 直樹, 下川 ; 和千, 和田 |
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Zeitschrift: | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 117 (2017-12-01), Heft 345, S. 79-84 |
Reihe: | コンピュータシステム |
Veröffentlichung: | 2017 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0913-5685 |
Schlagwort: |
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Sonstiges: |
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