ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化

直樹, 下川 ; 和千, 和田

In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 117 (2017-12-01), Heft 345, S. 79-84

academicJournal

Titel:	ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化
Autor/in / Beteiligte Person:	直樹, 下川 ; 和千, 和田
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Zeitschrift:	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 117 (2017-12-01), Heft 345, S. 79-84
Reihe:	コンピュータシステム
Veröffentlichung:	2017
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0913-5685
Schlagwort:	低雑音増幅器フィードバック結合容量雑音指数 IIP2 IIP3 low noise amplifier feed back coupling capacitor noise figure Subjects: 低雑音増幅器; フィードバック; 結合容量; 雑音指数; IIP2; IIP3; low noise amplifier; feed back; coupling capacitor; noise figure
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Japanese Periodical Index - 雑誌記事索引 Sprachen: Japanese

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