ミストCVD法によるGaSnO薄膜を用いたデバイス
In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 118 (2018-12-25), Heft 380, S. 13-16
academicJournal
Zugriff:
Titel: |
ミストCVD法によるGaSnO薄膜を用いたデバイス
|
---|---|
Autor/in / Beteiligte Person: | 雄太, 滝下 ; 澄夫, 杉崎 ; 大地, 是友 ; 勇作, 曲 ; 守, 古田 ; 時宜, 松田 ; 睦, 木村 |
Link: | |
Zeitschrift: | 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 118 (2018-12-25), Heft 380, S. 13-16 |
Reihe: | シリコン材料・デバイス |
Veröffentlichung: | 2018 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0913-5685 |
Schlagwort: |
|
Sonstiges: |
|