非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価

孝, 濱畑 ; 俊昭, 秋濃(小池) ; et al.

In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-07-01), Heft 110, S. 103-108

academicJournal

Titel:	非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価
Autor/in / Beteiligte Person:	孝, 濱畑 ; 俊昭, 秋濃(小池) ; 秋濃俊郎他
Link:	View Record from Japanese Periodicals Index
Zeitschrift:	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 109 (2009-07-01), Heft 110, S. 103-108
Reihe:	回路とシステム
Veröffentlichung:	2009
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0913-5685
Schlagwort:	MOSFET BJT LDD SOI Subjects: MOSFET; BJT; LDD; SOI
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Japanese Periodical Index - 雑誌記事索引 Sprachen: Japanese

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