静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計(1)トランジスタ寸法連続可変なセル・レイアウト・アーキテクチャ

俊郎, 秋濃 ; 芳信, 堺 ; et al.

In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 100 (2001-01-12), Heft 534, S. 41-48

academicJournal

Titel:	静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計(1)トランジスタ寸法連続可変なセル・レイアウト・アーキテクチャ
Autor/in / Beteiligte Person:	俊郎, 秋濃 ; 芳信, 堺 ; 博宣, 高橋
Link:	View Record from Japanese Periodicals Index
Zeitschrift:	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 100 (2001-01-12), Heft 534, S. 41-48
Veröffentlichung:	2001
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0913-5685
Schlagwort:	閾値電圧 substrate-bias threshold voltage domino CMOS circuit super-cell Subjects: 閾値電圧; substrate-bias; threshold voltage; domino CMOS circuit; super-cell
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Japanese Periodical Index - 雑誌記事索引 Sprachen: Japanese

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