大気圧プラズマCVDによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子

宏昌, 大参 ; 弘章, 垣内 ; et al.

In: 精密工学会誌論文集 / 会誌編集委員会編, Jg. 70 (2004-11-01), Heft 11, S. 1418-1422

academicJournal

Titel:	大気圧プラズマCVDによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子
Autor/in / Beteiligte Person:	宏昌, 大参 ; 弘章, 垣内 ; 安武潔他
Link:	View Record from Japanese Periodicals Index
Zeitschrift:	精密工学会誌論文集 / 会誌編集委員会編, Jg. 70 (2004-11-01), Heft 11, S. 1418-1422
Veröffentlichung:	2004
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1348-8716
Schlagwort:	low temperature growth high-rate deposition polycrystalline silicon atmospheric pressure plasma CVD atomic hydrogen Subjects: low temperature growth; high-rate deposition; polycrystalline silicon; atmospheric pressure plasma CVD; atomic hydrogen
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Japanese Periodical Index - 雑誌記事索引 Sprachen: Japanese

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