パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長

泰彰, 小前 ; 健, 齋藤 ; et al.

In: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 108 (2008-10-01), Heft 269, S. 7-12

academicJournal

Titel:	パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
Autor/in / Beteiligte Person:	泰彰, 小前 ; 健, 齋藤 ; 末光眞希他
Link:	View Record from Japanese Periodicals Index
Zeitschrift:	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, Jg. 108 (2008-10-01), Heft 269, S. 7-12
Reihe:	電子部品・材料
Veröffentlichung:	2008
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0913-5685
Schlagwort:	GaN AlN Alternating supply Intermittent supply Ru W-mesh Hot-mesh CVD intermittent gas supply Subjects: GaN; AlN; Alternating supply; Intermittent supply; Ru; W-mesh; Hot-mesh CVD; intermittent gas supply
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Japanese Periodical Index - 雑誌記事索引 Sprachen: Japanese

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