A 13dBm 25.7% PAE 25.3-dB gain E-band power amplifier in 40nm CMOS technology

Huang, Shangyao ; Que, Xianfeng ; et al.

In: IEICE Electronics Express, Jg. 21 (2024-01-25), Heft 2, S. 20230493

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Titel:	A 13dBm 25.7% PAE 25.3-dB gain E-band power amplifier in 40nm CMOS technology
Autor/in / Beteiligte Person:	Huang, Shangyao ; Que, Xianfeng ; Wang, Yanjie
Link:	Full Text Finder (Volltext)
Zeitschrift:	IEICE Electronics Express, Jg. 21 (2024-01-25), Heft 2, S. 20230493
Veröffentlichung:	2024
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1349-2543 (print)
DOI:	10.1587/elex.20.20230493
Sonstiges:	Nachgewiesen in: J-STAGE Sprachen: English

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