Electronic Materials Accelerating the Development of Ubiquitous Devices III: Mist Chemical Vapor Deposition: A Tool for Tailoring Ga2O3 Crystal Polymorphism / ユビキタスデバイス開発を加速する新しいエレクトロニクス材料３．ミストCVD法によるGa2O3の結晶多形制御技術

Hiroyuki, NISHINAKA ; 浩之, 西中

In: 材料, Jg. 72 (2023-10-15), Heft 10, S. 750

academicJournal

Titel:	Electronic Materials Accelerating the Development of Ubiquitous Devices III: Mist Chemical Vapor Deposition: A Tool for Tailoring Ga2O3 Crystal Polymorphism / ユビキタスデバイス開発を加速する新しいエレクトロニクス材料３．ミストCVD法によるGa2O3の結晶多形制御技術
Autor/in / Beteiligte Person:	Hiroyuki, NISHINAKA ; 浩之, 西中
Zeitschrift:	材料, Jg. 72 (2023-10-15), Heft 10, S. 750
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0514-5163 (print) ; 1880-7488 (print)
DOI:	10.2472/jsms.72.750
Sonstiges:	Nachgewiesen in: J-STAGE Sprachen: Japanese

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.