HfSiON gate dielectrics / HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術

Akio, KANEKO ; Izumi, HIRANO ; et al.

In: 応用物理, Jg. 73 (2004-09-10), Heft 9, S. 1200

academicJournal

Titel:	HfSiON gate dielectrics / HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
Autor/in / Beteiligte Person:	Akio, KANEKO ; Izumi, HIRANO ; Katsuyuki, SEKINE ; Kazuhiro, EGUCHI ; Motoyuki, SATO ; Seiji, INUMIYA ; Takeshi, YAMAGUCHI ; Yoshitaka, TSUNASHIMA ; 基之, 佐藤 ; 豪, 山口 ; 泉, 平野 ; 和弘, 江口 ; 誠治, 犬宮 ; 祥隆, 綱島 ; 明生, 金子 ; 克行, 関根
Zeitschrift:	応用物理, Jg. 73 (2004-09-10), Heft 9, S. 1200
Veröffentlichung:	2004
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0369-8009 (print) ; 2188-2290 (print)
DOI:	10.11470/oubutsu.73.9_1200
Sonstiges:	Nachgewiesen in: J-STAGE Sprachen: Japanese

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