A 28-GHz-Band Highly Linear Stacked-FET Power Amplifier IC with High Back-Off PAE in 56-nm SOI CMOS

Cuilin, CHEN ; Toshihiko, YOSHIMASU ; et al.

In: IEICE Transactions on Electronics, Jg. E103.C (2020-04-01), Heft 4, S. 153

academicJournal

Titel:	A 28-GHz-Band Highly Linear Stacked-FET Power Amplifier IC with High Back-Off PAE in 56-nm SOI CMOS
Autor/in / Beteiligte Person:	Cuilin, CHEN ; Toshihiko, YOSHIMASU ; Tsuyoshi, SUGIURA
Zeitschrift:	IEICE Transactions on Electronics, Jg. E103.C (2020-04-01), Heft 4, S. 153
Veröffentlichung:	2020
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0916-8524 (print) ; 1745-1353 (print)
DOI:	10.1587/transele.2019CDP0003
Sonstiges:	Nachgewiesen in: J-STAGE Sprachen: English

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