4.10.2 Experimental Studies of the Gamma-Radiation Impact on the MOS Capacitors and Transistor MOS Structure Parameters: Submicron CMOS IC Elements

Anatoly, Belous ; Vitali, Saladukha ; et al.

In: Space Microelectronics, Volume 2 - Integrated Circuit Design for Space Applications 2017; (2017)

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Titel:	4.10.2 Experimental Studies of the Gamma-Radiation Impact on the MOS Capacitors and Transistor MOS Structure Parameters: Submicron CMOS IC Elements
Autor/in / Beteiligte Person:	Anatoly, Belous ; Vitali, Saladukha ; Siarhei, Shvedau
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Quelle:	Space Microelectronics, Volume 2 - Integrated Circuit Design for Space Applications 2017; (2017)
Veröffentlichung:	2017
Medientyp:	E-Book
ISBN:	978-1-5231-3259-1 (print) ; 978-1-63081-259-1 (print)
Schlagwort:	electronics semiconductors electronics semiconductors -- electronic devices aerospace radar technology aerospace radar technology -- general references
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Knovel Sprachen: English File Description: application/pdf; text/html

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