Experimental evidence for a new single-event upset (SEU) mode in a CMOS SRAM obtained from model verification

Zoutendyk, J. A ; Smith, L. S ; et al.

In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. NS-34 (1987-12-01)

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Modeling of SEU has been done in a CMOS static RAM containing 1-micron-channel-length transistors fabricated from a p-well epilayer process using both circuit-simulation and numerical-simulation techniques. The modeling results have been experimentally verified with the aid of heavy-ion beams obtained from a three-stage tandem van de Graaff accelerator. Experimental evidence for a novel SEU mode in an ON n-channel device is presented.

Titel:	Experimental evidence for a new single-event upset (SEU) mode in a CMOS SRAM obtained from model verification
Autor/in / Beteiligte Person:	Zoutendyk, J. A ; Smith, L. S ; Soli, G. A ; Lo, R. Y
Link:	View record in NASA Technical Reports (Volltext) Volltext
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. NS-34 (1987-12-01)
Veröffentlichung:	United States: NASA Center for Aerospace Information (CASI), 1987
Medientyp:	report
ISSN:	0018-9499 (print)
Schlagwort:	Electronics And Electrical Engineering
Sonstiges:	Nachgewiesen in: NASA Technical Reports Sprachen: English Document Type: Report Language: English

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