Novel molecular ion implantation technology for proximity gettering in silicon wafer for CMOS image sensor

Hirose, Ryo

Kyoto University; 京都大学, 2020

Online Hochschulschrift

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0048

甲第22442号

工博第4703号

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Doctor of Philosophy (Engineering)

Kyoto University

DFAM

Titel:	Novel molecular ion implantation technology for proximity gettering in silicon wafer for CMOS image sensor
Autor/in / Beteiligte Person:	Hirose, Ryo
Link:	Volltext
Veröffentlichung:	Kyoto University; 京都大学, 2020
Medientyp:	Hochschulschrift
DOI:	10.14989/doctor.k22442
Schlagwort:	proximity gettering technology silicon wafer molecular ion implantation CMOS image sensor ion implantation defect 500
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Networked Digital Library of Theses & Dissertations Sprachen: English Alternate Title: CMOSイメージセンサ用Siウェーハにおける近接ゲッタリングのための新規分子イオン注入技術 Collection: Kyoto University Original Material: 14301甲第22442号 ; 14301 Document Type: doctoral thesis ; Thesis or Dissertation File Description: application/pdf Language: English Rights: 題目：Proximity gettering of silicon wafers using CH3O multielement molecular ion implantation technique 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:/10.7567/JJAP.57.096503. 題目：Proximity gettering technique using CH3O multielement molecular ion implantation for white spot defect density reduction in CMOS image sensor 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:10.7567/1347-4065/ab4fc9. 題目：Effect of ramping up rate on end of range defect in multielement molecular-ion (CH3O)-implanted silicon wafers 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:10.7567/1347-4065/ab358b

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