Characterization and analysis of BTI and HCI effects in CMOS current mirrors

2022

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This paper presents experimental results on the aging-induced degradation of CMOS current mirrors fabricated in a 65-nm CMOS technology. A dedicated integrated circuit array with custom test structures allowing for accelerated aging tests is used for the characterization, including several geometries of simple current mirrors, in PMOS and NMOS versions. The bi-directional link between device degradation and bias conditions that comes into play during circuit aging, as well as the permanent degradation, are both reported and analyzed.

Titel:	Characterization and analysis of BTI and HCI effects in CMOS current mirrors
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Veröffentlichung:	2022
Medientyp:	Elektronische Ressource
Schlagwort:	Index Terms: Aging Circuit Reliability CMOS integrated circuits Bias Temperature Instability current mirrors integrated circuit reliability Hot Carrier Injection Conference Paper
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OAIster Added Details: Agencia Estatal de Investigación (España) ; Ministerio de Ciencia e Innovación (España) ; Junta de Andalucía ; Santana-Andreo, A. [0000-0002-1377-2961] ; #NODATA# ; Roca, Elisenda [0000-0001-6260-6495] ; Castro-López, R. [0000-0002-6247-3124] ; Fernández, Francisco V. [0000-0001-8682-2280] ; Santana-Andreo, A. ; Martin-Lloret, P. ; Roca, Elisenda ; Castro-López, R. ; Fernández, Francisco V. Document Type: Electronic Resource Availability: Open access content. Open access content ; openAccess Note: English Contributing Source: CSIC ; From OAIster®, provided by the OCLC Cooperative.

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