Threshold of photoelectron emission from CNx films deposited at room temperature and at 500 °C

2017

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type:Journal Article

The threshold of photoelectron emission was measured for amorphous CNx films deposited at room temperature (RT) and at 500 °C. The x values of the films deposited at RT and at 500 °C by magnetron sputtering of a graphite target in a mixed N2/Ar gas were 0.6 and 0.3, respectively. Ratios of the sp2- to sp3-hybridized components of both C and N for the film deposited at 500 °C were larger by 4 times than those for the film deposited at RT. The onsets of the electron emission by photon irradiation were 5.0 and 4.7 eV for the films deposited at RT and at 500 °C, respectively.

source:http://www.aip.org

Titel:	Threshold of photoelectron emission from CNx films deposited at room temperature and at 500 °C
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Veröffentlichung:	2017
Medientyp:	Elektronische Ressource
Schlagwort:	Index Terms: carbon compounds thin films amorphous state sputter deposition conduction bands valence bands photoelectron spectra Journal Article VoR
Sonstiges:	Nachgewiesen in: OAIster Added Details: Department of Systems Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, Japan ; Department of Systems Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, Japan ; Department of Systems Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, Japan ; Department of Systems Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso, Showa, Nagoya 466-8555, Japan ; Department of Materials Science, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensui, Tobata, Kitakyushu 804-8550, Japan ; Department of Materials Science, Kyushu Institute of Technology, 1-1 Sensui, Tobata, Kitakyushu 804-8550, Japan ; Sago, Genki ; Li, Wanyan ; Keisuke, Goto ; Ichikawa, Yo ; Ishida, Yoshihisa ; Kohiki, Shigemi Document Type: Electronic Resource Availability: Open access content. Open access content ; Copyright © 2004 American Institute of Physics Note: English Contributing Source: NATIONAL INST OF INFO ; From OAIster®, provided by the OCLC Cooperative.

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