수소기상화합물 증착법을 이용한 질화갈륨(GaN) 박막과 나노막대의 선택적 과성장(ELOG)

오태건 (Taegeon Oh) ; 이상화 (Sanghwa Lee) ; et al.

In: 한국생산제조학회 학술발표대회 논문집 2007-05 2007(5):658-662; Jg. 2007 (2007-05-31) 5, S. 658-661

Konferenz

Titel:	수소기상화합물 증착법을 이용한 질화갈륨(GaN) 박막과 나노막대의 선택적 과성장(ELOG)
Autor/in / Beteiligte Person:	오태건 (Taegeon Oh) ; 이상화 (Sanghwa Lee) ; 최혁민 (Hyeokmin Choe) ; 손유리 (Yuri Sohn) ; 전재원 (Jai Weon Jean) ; 김진교 (Chinkyo Kim)
Link:	https://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE00928506
Quelle:	한국생산제조학회 학술발표대회 논문집 2007-05 2007(5):658-662; Jg. 2007 (2007-05-31) 5, S. 658-661
Veröffentlichung:	2007
Medientyp:	Konferenz
ISSN:	2508-5387 (print)
Sonstiges:	Nachgewiesen in: DBPIA Sprachen: Korean

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