비트라인 전하 공유 기반 메모리 내부 기준 전압 형성을 지원하는 256×80 12T SRAM 컴퓨팅 인 메모리

박준우 (Junwoo Park) ; 이혜영 (Hyeyeong Lee) ; et al.

In: 대한전자공학회 학술대회 2023-06 2023(6):134-138; Jg. 2023 (2023-06-30) 6, S. 134-137

Konferenz

Titel:	비트라인 전하 공유 기반 메모리 내부 기준 전압 형성을 지원하는 256×80 12T SRAM 컴퓨팅 인 메모리
Autor/in / Beteiligte Person:	박준우 (Junwoo Park) ; 이혜영 (Hyeyeong Lee) ; 신채현 (Chaehyeon Shin) ; 박종선 (Jongsun Park)
Link:	https://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE11522004
Quelle:	대한전자공학회 학술대회 2023-06 2023(6):134-138; Jg. 2023 (2023-06-30) 6, S. 134-137
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	Konferenz
Sonstiges:	Nachgewiesen in: DBPIA Sprachen: Korean

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