Crescimento de diamante CVD em substratos de silício de grande área
In: Rem: Revista Escola de Minas, Jg. 63 (2010-06-01), Heft 2
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Realizaram-se crescimentos de filmes de diamante por deposição química de vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition) em substratos de silício (100), de grande área (80 cm²), em um reator de filamento quente (HFCVD), com taxas de crescimento superiores a 1,5 µm/h. Foi realizado o crescimento das amostras com diferentes fluxos gasosos e diferentes porcentagens de metano (CH4) em hidrogênio (H2). As amostras foram caracterizadas por microscopia óptica, eletrônica de varredura e por espectroscopia de espalhamento Raman. Tais análises acusaram a presença de diamante de alta pureza em todas as amostras.
Titel: |
Crescimento de diamante CVD em substratos de silício de grande área
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Autor/in / Beteiligte Person: | Moro, João Roberto ; Trava-Airoldi, Vladimir Jesus ; Corat, Evaldo José ; Eichenberger Neto, João ; Amorim, Amaurí ; Alves, Arnaldo Ribeiro |
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Zeitschrift: | Rem: Revista Escola de Minas, Jg. 63 (2010-06-01), Heft 2 |
Veröffentlichung: | Escola de Minas, 2010 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0370-4467 (print) |
DOI: | 10.1590/S0370-44672010000200011 |
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