Defect Analysis of MBE Reactor-Grown HgCdTe on Si, GaAs, GaSb, and CZT Substrates Through the TNL-Epigrow Simulator

Saxena, P. K. ; Srivastava, P. ; et al.

In: Journal of Electronic Materials, 2024-04-22, S. 1-10

Online academicJournal

Zugriff:

Titel:	Defect Analysis of MBE Reactor-Grown HgCdTe on Si, GaAs, GaSb, and CZT Substrates Through the TNL-Epigrow Simulator
Autor/in / Beteiligte Person:	Saxena, P. K. ; Srivastava, P. ; Srivastava, A.
Link:	View record at Springer (Volltext)
Zeitschrift:	Journal of Electronic Materials, 2024-04-22, S. 1-10
Veröffentlichung:	2024
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0361-5235 (print) ; 1543-186X (print)
DOI:	10.1007/s11664-024-11082-0
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Springer Nature Journals Sprachen: English

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.