Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region

Masal’skii, N. V.

In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), Heft 6, S. 394-401

Online academicJournal

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Titel:	Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region
Autor/in / Beteiligte Person:	Masal’skii, N. V.
Link:	View record at Springer (Volltext) E-Journal im Bestand der UB Hagen?
Zeitschrift:	Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), Heft 6, S. 394-401
Veröffentlichung:	2019
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1063-7397 (print) ; 1608-3415 (print)
DOI:	10.1134/s1063739719060052
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Springer Nature Journals Sprachen: English

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