X-Ray and Proton Radiation Effects on 40 nm CMOS Physically Unclonable Function Devices.
In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1519-1524
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X-Ray and Proton Radiation Effects on 40 nm CMOS Physically Unclonable Function Devices.
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Autor/in / Beteiligte Person: | Wang, P. F. ; Zhang, E. X. ; Chuang, K. H. ; Liao, W. ; Gong, H. ; Wang, P. ; Arutt, C. N. ; Ni, K. ; Mccurdy, M. W. ; Verbauwhede, I. ; Bury, E. ; Linten, D. ; Fleetwood, D. M. ; Schrimpf, R. D. ; Reed, R. A. |
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Zeitschrift: | IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 65 (2018-08-01), Heft 8, S. 1519-1524 |
Veröffentlichung: | 2018 |
Medientyp: | academicJournal |
ISSN: | 0018-9499 (print) |
DOI: | 10.1109/TNS.2017.2789160 |
Sonstiges: |
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