Incremental Enhancement of SEU Hardened 90 nm CMOS Memory Cell.

Haddad, Nadim F. ; Kelly, Andrew T. ; et al.

In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 975-980

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Titel:	Incremental Enhancement of SEU Hardened 90 nm CMOS Memory Cell.
Autor/in / Beteiligte Person:	Haddad, Nadim F. ; Kelly, Andrew T. ; Lawrence, Reed K. ; Li, Bin ; Rodgers, John C. ; Ross, Jason F. ; Warren, Kevin M. ; Weller, Robert A. ; Mendenhall, Marcus H. ; Reed, Robert A.
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 58 (2011-06-02), Heft 3, S. 975-980
Veröffentlichung:	2011
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9499 (print)
DOI:	10.1109/TNS.2011.2128882
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Environment Complete Sprachen: English

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