An Investigation of Single Event Transient Response in 45-nm and 32-nm SOI RF-CMOS Devices and Circuits.

England, Troy D. ; Arora, Rajan ; et al.

In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4405-4411

Online academicJournal

Zugriff:

Volltext

Titel:	An Investigation of Single Event Transient Response in 45-nm and 32-nm SOI RF-CMOS Devices and Circuits.
Autor/in / Beteiligte Person:	England, Troy D. ; Arora, Rajan ; Fleetwood, Zachary E. ; Lourenco, Nelson E. ; Moen, Kurt A. ; Cardoso, Adilson S. ; McMorrow, Dale ; Roche, Nicolas J. H. ; Warner, Jeffery H. ; Buchner, Stephen P. ; Paki, Pauline ; Sutton, Akil K. ; Freeman, Greg ; Cressler, John D.
Link:	Volltext
Zeitschrift:	IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 60 (2013-12-01), Heft 6, S. 4405-4411
Veröffentlichung:	2013
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	0018-9499 (print)
DOI:	10.1109/TNS.2013.2289368
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Environment Complete Sprachen: English

Klicken Sie ein Format an und speichern Sie dann die Daten oder geben Sie eine Empfänger-Adresse ein und lassen Sie sich per Email zusenden.

BibTeX Citavi, JabRef, u.a.
(Literaturverwaltung)

PDF kein Volltext!
(Merkzettel, Notizen)

RIS Endnote, Citavi u.a.
(Literaturverwaltung)

MODS
(XML zur Weiterverarbeitung)

oder

Wählen Sie das für Sie passende Zitationsformat und kopieren Sie es dann in die Zwischenablage, lassen es sich per Mail zusenden oder speichern es als PDF-Datei.

Gewünschter Zitations-Stil:

oder

Bitte prüfen Sie, ob die Zitation formal korrekt ist, bevor Sie sie in einer Arbeit verwenden. Benutzen Sie gegebenenfalls den "Exportieren"-Dialog, wenn Sie ein Literaturverwaltungsprogramm verwenden und die Zitat-Angaben selbst formatieren wollen.