一种先进 CMOS 工艺下抗单粒子瞬态加固的与非门.

柱, 史 ; 筱, 肖 ; et al.

In: Journal of Harbin Institute of Technology. Social Sciences Edition / Haerbin Gongye Daxue Xuebao. Shehui Kexue Ban, Jg. 55 (2023-05-01), Heft 5, S. 114-121

academicJournal

Wie komme ich dran?

Titel:	一种先进 CMOS 工艺下抗单粒子瞬态加固的与非门.
Autor/in / Beteiligte Person:	柱, 史 ; 筱, 肖 ; 斌, 王 ; 博, 杨 ; 卢红利 ; 岳红菊 ; 刘文平
Zeitschrift:	Journal of Harbin Institute of Technology. Social Sciences Edition / Haerbin Gongye Daxue Xuebao. Shehui Kexue Ban, Jg. 55 (2023-05-01), Heft 5, S. 114-121
Veröffentlichung:	2023
Medientyp:	academicJournal
ISSN:	1009-1971 (print)
DOI:	10.11918/202109131
Sonstiges:	Nachgewiesen in: Sociology Source Ultimate Sprachen: Chinese Alternate Title: A radiation hardened NAND gate against single-event transient in advanced CMOS process.

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